В России создан перспективный магнитный материал для запоминающих устройств и квантовой электроники

Российские ученые совершили прорыв в области материаловедения, создав инновационный магниточувствительный материал. Этот уникальный материал, основанный на арсениде кадмия с добавлением хрома, обладает высокой чувствительностью и открывает новые горизонты для создания современных запоминающих устройств и микроэлектронных компонентов будущего.

По сообщению пресс-службы Российского научного фонда (РНФ), эта разработка имеет важнейшее значение для разработки множества электронных приборов, систем хранения данных и различных датчиков.

Исследование, проведенное научным сотрудником Института общей и неорганической химии РАН Алексеем Рилем, было сосредоточено на изучении взаимодействия компонентов материала и формировании фаз при их сплавлении. Полученные результаты позволили оптимизировать состав материала, что является ключевым фактором для достижения желаемых свойств.

Созданный материал относится к классу полуметаллов Дирака, которые избирательно пропускают электроны, что делает их уникальными для применения в квантовой и электронной технике.

Ключевым моментом исследования стало добавление небольшого количества хрома (1-6%) к арсениду кадмия. Этот компонент образует точечные структуры арсенида хрома внутри материала, что существенно изменяет подвижность носителей заряда. Кроме того, в процессе синтеза были обнаружены микроскопические скопления чистого хрома, что также влияет на электрофизические свойства материала. Ученые подчеркивают важность учета этих факторов при разработке оптимального состава для производства электронных компонентов, использующих уникальные свойства полуметаллов Дирака.