Физики совершили прорыв в создании 6G: полупроводники будущего уже здесь

Революционное открытие в области полупроводниковых технологий, сделанное физиками Бристольского университета, может кардинально ускорить внедрение сетей шестого поколения (6G). Как сообщает Nature Electronics, исследователи обнаружили уникальный эффект в усилителях на основе нитрида галлия (GaN), который позволяет преодолеть ключевые ограничения современных беспроводных систем.

Ученые создали транзисторы с тысячами наноразмерных структур, демонстрирующие рекордную производительность в диапазоне 75-110 ГГц. Неожиданно выяснилось, что особый "зажимной" эффект в широких элементах конструкции обеспечивает беспрецедентную скорость передачи данных без ущерба для надежности устройств.

"Это открытие переворачивает наши представления о возможностях полупроводниковых материалов", — отмечает профессор Мартин Кубалл.

По его словам, технология позволит реализовать футуристические сценарии — от мгновенной удаленной диагностики заболеваний до полностью автономных транспортных систем — уже в следующем десятилетии.

Особое значение имеет обнаруженная роль тонкого диэлектрического слоя, окружающего каждый структурный элемент. Это знание открывает путь к созданию нового поколения компактных и энергоэффективных устройств для "зеленой" энергетики, систем связи следующего поколения и прецизионных радаров.

Бристольская исследовательская группа уже работает над масштабированием технологии, что в перспективе позволит обслуживать одновременно миллионы пользователей с беспрецедентной скоростью передачи данных. Это открытие приближает наступление эпохи, когда беспроводные технологии кардинально изменят все аспекты человеческой жизни. отмечают эксперты.