Китайские ученые разработали устройство флеш-памяти с самой высокой в мире скоростью записи — один бит информации записывается всего за 400 пикосекунд. Об этом сообщает агентство "Синьхуа" со ссылкой на публикацию в научном журнале Nature.
По данным агентства, группа исследователей из Фуданьского университета в Шанхае создала двухмерную энергонезависимую флеш-память с использованием графенового канала. Устройство получило название "PoX" и уже установило новый мировой рекорд по скорости записи среди полупроводниковых запоминающих устройств.
Как уточняется, даже самые современные энергонезависимые устройства уступают новинке: для записи одного бита информации им требуется от одной до десяти наносекунд. В то время как китайская разработка справляется с задачей в 400 пикосекунд — это в десятки раз быстрее.
Агентство подчеркивает, что прорывная технология не только превосходит существующие решения, но и открывает новые перспективы для создания более мощных и эффективных систем хранения данных.
Для справки: пикосекунда — это триллионная доля секунды/